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赛普拉斯非易失性随机存取存储器可确保工业系统安全

发布时间:2019-05-20 16:00 来源:未知 编辑:admin

  随着工业物联网的到来,工厂发展渐趋智能化,互联程度越来越高。例如,智能工厂的机器能够通过传感器节点获取实时数据以侦测甚至提前发现故障,并通知控制系统采取纠正措施以修复故障。累积所得的数据可用于改进预测分析并实现对机器更优化的预防性维护, 从而缩短停工检修时间。目前,停工检修状况难以预测并且代价高昂,以汽车制造商为例每小时停工成本高达 130 万美元。

  数据收集作为工业物联网发展的基石,通过实时感应获取的数据进行预测性维护。因此,数据的安全性和可靠性就显得极其重要,尤其是在故障发生的时候!

  赛普拉斯的非易失性随机存取存储器 (NVRAM) 可确保工业系统处于“零数据风险”状态,无论是在正常运行还是故障发生期间均可以完成安全可靠的数据备份。并且,赛普拉斯的 NVRAM 可提供近乎无限的读写耐久性,以确保工业系统的“数据可靠性”,加之无需电池进行数据备份,可安全保存数据超过 20 年。

  NVRAM 产品用于多个工业市场,包括工业自动化、能源管理、工业控制、工业流程测量及测试测量。在所有细分市场中,NVRAM 可连续记录实时系统数据,并在断电或故障时自动记录系统状态数据。

  上列框图显示了 NVRAM 的两个关键任务型应用:用于自动化的可编程逻辑控制器(PLC) 以及用于流程测量的物联网传感器节点。在这两个任务型应用中,NVRAM 获取实时系统数据,并用于检测、修复故障,从而防止未来潜在故障的发生。

  另外,在 PLC 中,NVRAM 在断电前获取的最后一个系统状态至关重要用于确保 PLC 和所有连接的设备在恢复供电时以安全工作模式重新启动。如果没有这个功能,其他机器及周边的人类安全会存在潜在风险。

  赛普拉斯提供两种类型的NVRAM:非易失性SRAM (nvSRAM)和铁电RAM (F-RAM)。nvSRAM是一种快速的SRAM存储器,每个SRAM单元均嵌入了一个SONOS非易失性存储单元,用于断电时保存数据。另一方面,F-RAM是一种快速写入、高耐久、低功耗的非易失性存储器,运用铁电技术实现数据存储。

  另外,F-RAM的功耗比串行EEPROM低200倍,比NOR闪存低3000倍,因此是作为物联网传感器节点等电池供电应用的理想选择。nvSRAM提供无限读写耐久性,而F-RAM具备1014个周期的读写耐久性。系统断电时,nvSRAM和F-RAM通过自动存储数据至非易失性存储单元中,从而确保“零数据风险”。此外,EEPROM等竞争技术通常有5-10毫秒的页写入延迟,因此断电时存在无法捕捉到最后临界时刻系统数据的风险。

  赛普拉斯的 NVRAM 产品具备近乎无限的写入耐久性,并且能够进行频繁的实时数据捕获,准确地监控系统和流程操作。闪存和 EEPROM 等浮栅技术的寿命仅为 106 个周期,无法支持频繁的系统数据捕获,且在其寿命耗尽时可能导致系统故障。与依靠电池供电的 SRAM 不同,NVRAM 能够安全保存数据长达 20 余年,无需任何后备电源,从而进一步确保了“数据可靠性”。凭借赛普拉斯的 NVRAM 产品,工业系统每次都可以获取并保护其关键任务数据。

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