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富士通推出数据传输以高速运算改善网络装置效能的非挥发性内存

发布时间:2019-05-26 20:55 来源:未知 编辑:admin

  2016年3月1日–富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM(铁电随机存取内存)产品MB85RQ4ML,此产品在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度,并开始以样品量供货。由于其兼顾高速传输和FRAM的特性,因此特别适用于网络建置、RAID控制器及工业运算等领域。

  2016年3月1日富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM(铁电随机存取内存)产品MB85RQ4ML,此产品在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度,并开始以样品量供货。由于其兼顾高速传输和FRAM的特性,因此特别适用于网络建置、RAID控制器及工业运算等领域。

  为满足市场对FRAM接口速度提升的迫切需求,富士通目前已成功开发MB85RQ4ML 4MbitFRAM,在FRAM产品线中拥有最高数据传输速度(图一)。

  此产品采用单一1.8V电源供应器QSPI接口,能以108 MHz运作频率达到每秒54 MB的数据传输速度。富士通以往的产品中,采用44针TSOP封装且拥有16-bit并行接口的4MbitFRAM传输速度最快,为每秒13 MB。而此全新产品的数据读写速度领先前者将近四倍之高,且所用引脚数更少(图三)。

  其定位介于数据储存用的高容量非挥发性内存与高速作业内存之间,并以高速存取及数据备份支持数据写入,例如必须持续写入设定数据的网络设备,像路由器等(图三)。

  仰赖海量数据处理能力的物联网市场,随着数据处理量不断增加,内存亦必须频繁地执行数据改写;此外,从安全观点来看,保留存取记录也将更受到重视。有鉴于此,此产品能透过保留网络领域中存取信息而促进设备效能的改善。因此,富士通充分运用FRAM的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性,为穿戴式市场及物联网市场带来使用FRAM的解决方案,为客户带来更具价值且更加便利的应用。

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