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怀旧老照片 细数计算机内存的那些事

发布时间:2019-05-28 12:08 来源:未知 编辑:admin

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  作为计算机中重要部件,内存承担着跟CPU沟通的任务,其性能好坏直接关系到计算机的整体性能。很多人可能比较了解内存的性能,但是对其发展史来说,却是并不清楚,说起来,其已经有超过160年的历史,今天笔者就带你一起回顾一下这160年的时间,重申审视内存的产品和里程碑,这些你可能没听说过。

  20世纪80年代初,一些学校使用的如下图所示打孔卡作为介质的来存储“数字化”的科学书籍。当然,可能有人说这种打孔卡出现的时间更早,的确,但是知道以为英国数学家Charles Babbage他有了将这种数据计入编程计算机的想法,于是在1834年到qui死亡的1871年,其建立了“分析机”,该装置此阿勇了打孔卡作为只读存储器,集成的分选机的总内存相当于675字节。

  奥地利的IT工程师Gustav Tauschek发明了第一个被广泛使用的计算机存储器磁鼓存储器。虽然他在1932年就创建磁鼓存储器,但是却花了超过20年的技术被普遍采用。在“磁鼓存储器”被发明的后10年中,还有一些其他类型的存储器。例如水印延迟线、磁芯等,构成了最早期电子计算机的主存储器。

  磁芯存储器被广泛应用到现代计算机存储器技术中,可以说是内存技术发展的第二个里程碑。多数人都认为这项技术的所有关键部件是直到1951年才被开发出来,但早在1949年,麻省理工学院的Jay Forrester首先提出了这项技术的构想。这种磁芯存储器已被微型集成电路块上的半导体存储器所取代。最初的磁芯存储器只有几百个字节的容量。

  磁芯存储器的英文名称使用的是“core”,虽然被淘汰,但是很多人仍然习惯把内存叫core,磁芯存储器能够存储数字信息可以是1或0。在20世纪60年代到20世纪70年代初,非易失性磁芯存储器被用作默认的内存技术,全球所有的电脑90%以上都采用此技术。而且因此还打了一场关于专利的官司。

  超声波存储器是内存发展过程中重要的一环,这套系统超声波存储器拥有1024个44位,相当5.5KB的存储容量。超声波存储器被使用在世界上第二台电子计算机EDVAC上。

  铁电存储器z哎今天感觉仍然有点异国情调的感觉,它的历史可以追溯到1952年,麻省理工学院的研究生Dudley Allen Buck在硕士论文中就有了对FeRAM的描述,但是确实花了超过三十年才被人们再次提起,1991年,美国国家航空航天局的喷气推进实验室最终将这套概念付之于现实。Ramtron公司是最早成功制造出FeRAM的厂商,富士通、IBM和德州仪器在那时候也是FeRAM产品的重要制造厂。

  在1946和1953之间,选数管是管内存流行的最后一个镜头,但从来就没有投入生产,由于磁芯存储器的普及。选数管10英寸长,直径3英寸,所以很难普及。因此,直到今天,选数管在应用上仍然不为大多数人了解。

  最早的SRAM可以追溯到1964年,是由当初的仙童半导体公司Fairchild研发的64位的金属氧化物半导体(MOS)静态RAM,然而在1969年,英特尔公司开发了第一个256位静态RAM,命名为1101芯片,并在1971年正式推出,1101芯片是全世界第一个大规模生产并利用的,利用硅半导体技术的MOS内存储器。

  即使相变存储器发明超过50年后的今天,其仍然处于萌芽阶段,在1969年Charles Sie的论文中就提到了这项存储技术,摩尔也同样在1970年发表了一篇论坛,描述了镶边处理器,但是直到今天,其一直处于研发阶段,而有消息说,三星公司则有希望第一个成为开发出PRAM的公司。

  第一个发明EPROM(有时也简称为EROM)的是英特尔的Dov Frohman,第一个被正式投产的EPROM型号为i1701,采用8个容量为256比特的模块总容量为2048比特。EPROM是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片。

  EPROM是一组浮栅晶体管组成,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线年:Flash

  Flash是由东芝公司在1984年发明,第一个广为人知的快闪记忆体装置是由英特尔于1988年研发的256 KB芯片当然,Flash是目前使用的几乎所有的海量存储解决方案,包括在我们的手机芯片中,USB和SSD等等你,是目前最火的存储技术,到目前为止,闪光表现强劲。

  磁阻式随机存取内存是一种非挥发性内存技术,MRAM的拥护者认为其实闪存和DRAM的替代品,最早开发MRAM技术的是IBM在1989年到10世界九十年代研发的,但是其商业化的步伐依然没有取得进展,目前仍处于研发阶段,不过目前,在一些通信和军事等领域已经有了一定的应用。

  SDRAM概念出现不久,但是从20世纪79年代就已经被人们熟悉,但是要说其在电子工业领域被广泛接受,那还是从1993年开始,1993年,三星开始展示其新出品的KM48SL2000 SDRAM,到2000年,SDRAM因为其卓越的性能,实际上取代了其它类型的DRAM在现代计算机中的位置。

  作为SADRAM的继任者,DDR JEDEC SDRAM规范标准在1996年到2000年之间被定义,目前DDR3是市场上主流的内存产品,目前预计DDR4产品将很可能在2014年发布。

  Rambus DRAM(RDRAM或DRDRAM的)是由美国的RAMBUS公司于20世纪90年代末,开发的一种SDRAM内存,也是尝试取代SDRAM内存而不太成功的案例之一。Rambus DRAM最大的有点就是拥有更高的贷款和时钟频率,但是其在推出时,彻底改变了内存的传输模式,无法保证与原有制造工艺的兼容性,到如今也仅在一些电视有机器或网络设备中有一些应用。

  第1页:打孔是计算机内存的前身作为计算机中重要部件,内存承担着跟CPU沟通的任务,其性能好坏直接关系到计算机的整体性能。很多人可能比较了解内存的性能,但是对其发展史来说,却是并不清楚,说起来,其已经有超过160年的历史,今天笔者就带你一起回顾一下这160年的时间,重申审视内存的产品和里程碑,这些你可能没听说过。1834年:打孔卡计算机内存的前身20世纪80年代初,一些学校使用的如下......

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